1994-1996年在美国宾州州立大学材料研究所博士后学习，全省企业之后任材料研究所研究助理教授。

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因此，制发展类提高MXene基芯片式微型超级电容器的电压窗口，才能更有效地储存能量，拓宽其应用范围。全省企业【论文链接】High-voltageasymmetricMXene-basedon-chipmicro-supercapacitors. NanoEnergy (2020):104928.https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104928 。

率先(d)芯片式MSCs叉指指间间隙的宽度SEM图。

然而，明年电压窗口低和能量密度低的问题，始终限制着它的进一步应用。据悉，江苏加收FOVE将在2016年秋季发货开发者版本

（e）单根CuNW的TEM图像，苏州显示[1-10]的拉长方向。对限电费相关成果以CuNanowiresPassivatedwithHexagonalBoronNitride-AnUltra-Stable,SelectivelyTransparentConductor发表于ACS Nano上。

作者认为，制发展类通过这种技术，制发展类h-BN或其它二维材料可以通过直接封装和与Cu-NWs的紧密结合得到更为灵活地展现出优异性能，其有望在先进光电器件和现代智能建筑中得到广泛的应用。这些严格条件可能包括高电流、全省企业高温、高机械强度、高光强度或高频率。